• В корзине пусто!

MITS

Фото
Артикул
Наименование
Цена, руб./шт.
без НДС
Упак.
шт.
Наличие/шт.
Заказать
2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT
165320

2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT

1.8932 р.
1.8932
32
284
AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT
320352

AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT

1 069.1821 р.
1 069.1821
3
78
CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT
238874

CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT

242.3822 р.
242.3822
3
1
LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS
034203

LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS

2.0883 р.
2.0883
10
12
M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT
156017

M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT

12.0135 р.
12.0135
6
10
M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT
154080

M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT

41.0219 р.
41.0219
3
10
RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
238615

RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

36.3557 р.
36.3557
6
34
RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,
174395

RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,

24.5608 р.
24.5608
6
28
RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT
174414

RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT

14.3208 р.
14.3208
24
346
RD07MVS1, QFN12, Транзистор биполярный, MIT
295503

RD07MVS1, QFN12, Транзистор биполярный, MIT

20.0061 р.
20.0061
1
11
RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI
174393

RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI

24.1116 р.
24.1116
31
730
RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
174394

RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

24.6080 р.
24.6080
15
30
RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom
174396

RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom

76.0126 р.
76.0126
3
5
RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT
174422

RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT

50.6585 р.
50.6585
3
34
RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT
174412

RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT

126.2057 р.
126.2057
3
30
Показано с 1 по 15 из 15 (всего 1 страниц)