• В корзине пусто!

MITS

Фото
Артикул
Наименование
Цена, руб./шт.
без НДС
Упак.
шт.
Наличие/шт.
Заказать
2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT
165320

2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT

1.9638 р.
1.9638
31
300
AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT
320352

AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT

1 109.3182 р.
1 109.3182
3
78
CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT
238874

CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT

253.8740 р.
253.8740
3
1
LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS
034203

LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS

2.2012 р.
2.2012
10
12
M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT
156017

M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT

12.4028 р.
12.4028
5
25
M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT
154080

M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT

42.4203 р.
42.4203
3
11
RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
238615

RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

37.7357 р.
37.7357
6
43
RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,
174395

RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,

19.3765 р.
19.3765
10
15
RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT
174414

RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT

13.7433 р.
13.7433
30
136
RD07MVS1, QFN12, Транзистор биполярный, MIT
295503

RD07MVS1, QFN12, Транзистор биполярный, MIT

22.2151 р.
22.2151
1
11
RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI
174393

RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI

23.4717 р.
23.4717
50
1062
RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
174394

RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

25.5473 р.
25.5473
18
208
RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom
174396

RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom

78.4656 р.
78.4656
3
6
RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT
174422

RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT

52.3790 р.
52.3790
3
38
RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT
174412

RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT

130.6644 р.
130.6644
3
10
Показано с 1 по 15 из 15 (всего 1 страниц)