• В корзине пусто!

MITS

Фото
Артикул
Наименование
Цена, руб./шт.
без НДС
Упак.
шт.
Наличие/шт.
Заказать
2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT
165320

2SC3246, TO92MOD/formed, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт, MIT

2.0414 р.
2.0414
31
300
AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT
320352

AA123AF01, Матрица TFT 12.3' IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C, MIT

1 178.1512 р.
1 178.1512
3
78
CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT
238874

CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT

301.9107 р.
301.9107
3
1
LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS
034203

LAG665[F], SO28, Мультимедиа преобразователь, MITS

2.2751 р.
2.2751
10
12
M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT
156017

M51995AFP, SOP20, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, MIT

12.8962 р.
12.8962
5
28
M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT
154080

M62446FP, SSOP42, Контроллер громкости с регузировкой тембра, 6 каналов, MIT

44.1119 р.
44.1119
3
11
PM100CVA120, Силовой модуль IGBT управления двигателем трехфазный 100A 1200В, MIT
268465

PM100CVA120, Силовой модуль IGBT управления двигателем трехфазный 100A 1200В, MIT

268.1047 р.
268.1047
3
1
RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
238615

RD06HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

39.2390 р.
39.2390
6
45
RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,
174395

RD06HVF1-501, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C,

20.5783 р.
20.5783
10
25
RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT
174414

RD07MVS1, QFN12, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C, MIT

14.2900 р.
14.2900
30
136
RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI
174393

RD15HVF1-101, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C, MI

24.4104 р.
24.4104
50
1424
RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT
174394

RD16HHF1, TO-220, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C, MIT

26.5665 р.
26.5665
18
208
RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom
174396

RD30HVF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recom

81.5947 р.
81.5947
3
6
RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT
174422

RD35HUP2, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C, MIT

54.4681 р.
54.4681
3
38
RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT
174412

RD70HHF1, Ceramic, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C, MIT

135.8766 р.
135.8766
3
12
Показано с 1 по 15 из 15 (всего 1 страниц)