• В корзине пусто!

ОТГРУЖАЕМ ТОЛЬКО ОРГАНИЗАЦИЯМ, С ФИЗИЧЕСКИМИ ЛИЦАМИ НЕ РАБОТАЕМ!!!

IGBT силовые модули

Фото
Артикул
Наименование
Цена, руб./шт.
без НДС
Упак.
шт.
Наличие/шт.
Заказать
BSM50GX120DN2, Биполярный транзистор IGBT, INF
176892

BSM50GX120DN2, Биполярный транзистор IGBT, INF

636.6933 р.
636.6933
3
2
BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт, INF
176900

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт, INF

411.2837 р.
411.2837
3
8
CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT
238874

CM100TX-24S, Module, Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В, MIT

300.3235 р.
300.3235
3
1
CM400DY-34T (1700В 400А) IGBT силовой модуль Mitsubishi
076744

CM400DY-34T (1700В 400А) IGBT силовой модуль Mitsubishi

607.0272 р.
607.0272
10
2
CM400ST-24S1, CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В, Mitsubishi
281809

CM400ST-24S1, CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В, Mitsubishi

421.4069 р.
421.4069
10
5
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700 V T-Series NX-Type, Mitsubishi
196586

CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700 V T-Series NX-Type, Mitsubishi

350.8213 р.
350.8213
10
1
CM450DX-34T, CM450DX-34T, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа, Mitsubishi
281813

CM450DX-34T, CM450DX-34T, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа, Mitsubishi

317.7648 р.
317.7648
10
2
CM800DU-12H, CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В, Mitsubishi
281800

CM800DU-12H, CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В, Mitsubishi

1 369.5734 р.
1 369.5734
10
2
CP30TD1-12A (600V 30A) IGBT силовой модуль Mitsubishi
076712

CP30TD1-12A (600V 30A) IGBT силовой модуль Mitsubishi

207.2422 р.
207.2422
10
2
DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А, Leapers Semiconductor
306073

DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А, Leapers Semiconductor

226.2940 р.
226.2940
3
>1000
DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, Leapers Semiconductor
306071

DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, Leapers Semiconductor

470.1984 р.
470.1984
3
224
FD250R65KE3KNOSA1, Модуль силовой IGBT 6500В 250А, INF
268456

FD250R65KE3KNOSA1, Модуль силовой IGBT 6500В 250А, INF

2 085.8319 р.
2 085.8319
3
1
FF100R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт, INF
176889

FF100R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт, INF

300.5481 р.
300.5481
3
23
FF150R12KE3G, 34 mm, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А, INF
268463

FF150R12KE3G, 34 mm, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А, INF

379.0179 р.
379.0179
3
2
FF150R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, INF
176890

FF150R12RT4, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, INF

309.2627 р.
309.2627
4
182
Показано с 1 по 15 из 63 (всего 5 страниц)